壓電力學(xué)探測(cè)器

壓電力學(xué)探測(cè)器

壓電驅(qū)動(dòng)器參數(shù)：

l  彎曲導(dǎo)軌可實(shí)現(xiàn)最小傾斜度的線性運(yùn)動(dòng)

l  行程范圍為1 mm

l  力至100 n

l  剛性和無側(cè)隙結(jié)構(gòu)

l  可提供集成位置傳感器

l  壓電執(zhí)行器的使用壽命

l  理想的OEM致動(dòng)器，用于自適應(yīng)系統(tǒng)技術(shù)中的力生成，用于納米壓印工藝或機(jī)床

l  具有更長(zhǎng)行程范圍、更短響應(yīng)時(shí)間或無磁性的定制版本

l  納米定位

l  高速切換

l  膜片鉗

l  微量點(diǎn)膠

l  自適應(yīng)系統(tǒng)技術(shù)/自動(dòng)化

l  光子/集成光學(xué)

l  生物技術(shù)

使用壽命

壓電執(zhí)行器均為陶瓷絕緣。這可以保護(hù)它們不受濕度和漏電流增加引起的故障的影響。執(zhí)行器的使用壽命是傳統(tǒng)聚合物絕緣執(zhí)行器的十倍。證明了1000億次循環(huán)中沒有一次故障。

零間隙柔性導(dǎo)軌具有較高的導(dǎo)向精度

柔性導(dǎo)軌無需維護(hù)、摩擦和磨損，并且不需要潤(rùn)滑。它們的剛度允許高負(fù)載能力，并且對(duì)沖擊和振動(dòng)不敏感。它們?cè)诤軐挼臏囟确秶鷥?nèi)工作。

可搭配新型MEMS探針。

這些新型MEMS探針具有更大的彈性和熱穩(wěn)定性，因?yàn)樗鼈兙哂懈鼒?jiān)固的組件和新的幾何形狀，類似于去年推出的0.025N/m探針。此外，它們使我們能夠在96個(gè)微孔板內(nèi)對(duì)探針進(jìn)行小型化測(cè)量。新型MEMS探針的剛度分別為0.25±0.07和3.5±0.7 N/m。半徑為R=3、10、25、50μm的0.25和3.5 N/m探針將取代目前的0.5 N/m和5 N/m帶狀懸臂探針。

由于光纖和懸臂之間的間隙更大，波長(zhǎng)掃描具有更多的條紋。我們建議增加激光功率以提高信噪比。

MEMS探針的校準(zhǔn)應(yīng)在聚四氟乙烯基板上進(jìn)行，尤其是在空氣中由于靜電力的存在而進(jìn)行測(cè)量時(shí)。Teflon基板將與探頭一起發(fā)送。由于懸臂共振頻率的變化，開環(huán)階段（階躍而非連續(xù)運(yùn)動(dòng)）的表面程序可能會(huì)顯示懸臂上的振動(dòng)。如果系統(tǒng)過早停止查找表面程序，則減小步長(zhǎng)或增加靈敏度（閾值）。如果使用閉環(huán)壓痕（壓痕-或負(fù)載控制），則變形率（壓痕速度）或最大壓痕深度或負(fù)載不會(huì)發(fā)生任何變化，因?yàn)殚]環(huán)操作測(cè)量不取決于探針剛度。如果使用開環(huán)壓痕（位移控制），樣品將以較低的變形率（壓痕速度）進(jìn)行測(cè)量，并且與使用相同位移輪廓但更硬的探針（0.5和5 N/m）相比，使用0.25和3.5 N/m探針將達(dá)到較低的壓痕深度或載荷。您可以通過增加壓電速度和位移來相應(yīng)地調(diào)整位移輪廓。

激光功率調(diào)整

MEMS的較大空腔導(dǎo)致信號(hào)的強(qiáng)度較低。為了增加信噪比，可以增加激光功率。您可以將其增加到25.12 mW的最大激光功率。然后，繼續(xù)正常校準(zhǔn)程序。因此，您將看到波長(zhǎng)掃描后的增益設(shè)置低于使用最小激光功率時(shí)的增益設(shè)置。如果測(cè)量是在空氣中進(jìn)行的，則將激光功率從最大功率降低到較低功率，因?yàn)榭諝庵械男盘?hào)強(qiáng)度高得多，并且最大激光功率可能導(dǎo)致信號(hào)飽和，這將導(dǎo)致波長(zhǎng)掃描后的平坦線。

使用要點(diǎn)

當(dāng)在液體（如水、培養(yǎng)基）中進(jìn)行測(cè)量時(shí)，您可以通過將探針盒上給出的值除以培養(yǎng)基的折射指數(shù)（如n=1.33）來驗(yàn)證您的校準(zhǔn)幾何因子。如果幾何因素不符合預(yù)期：

-在校準(zhǔn)過程中，檢查探針是否與基板接觸。

-用異丙醇（1-2毫升，持續(xù)0.5-1分鐘）清潔探針和基底，然后用水沖洗以去除任何殘留物。

-校準(zhǔn)后，通過在基板上按與校準(zhǔn)相同的距離（通常為3000 nm）從接觸處壓痕，檢查解調(diào)圓以及壓電和懸臂信號(hào)之間的重疊。